夏普发布氧化物TFT液晶面板技术

    最近，夏普在显示器技术国际学会“16th International Display Workshops（IDW ’09）”的氧化物TFT分会上，发布了其首次试制的氧化物TFT液晶面板技术，并在开发者见面会（Authors interview）上演示2.6英寸QVGA（320×240像素）面板。
    TFT结构为传统的反向通道蚀刻（Back Channel Etch）型。氧化物半导体采用IGZO（In-Ga-Zn-O）。 
    特性偏差方面，通过对320mm×400mm底板上的21个点进行测量，迁移率μ＝13.4±0.9cm2/Vs（σ＝0.5），阈值电压Vth＝3.0±0.4V（σ＝0.2）。对于人们关心的可靠性，夏普称基于DC偏压应力的Vth偏移在25℃下为非晶硅（a-Si）TFT的1/4左右程度，在85℃下是其1/10左右。基于脉冲偏压的Vth偏移在60℃下为a-Si TFT的70％左右。该公司称，作为液晶面板工作时，在60℃条件下，其TFT特性1000小时内不会发生变化。